MJE180G, 100nA 40V 12.5W 50@100mA,1V 3A 50MHz 1.7V@3A,600mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-225-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE180G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE180G, 100nA 40V 12.5W 50@100mA,1V 3A 50MHz ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.66
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.66
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft50МГц
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage1.7 V
collector emitter voltage max40В
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc collector/base gain hfe min50
dc current gain hfe min12hFE
dc усиление тока hfe12hFE
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity500
gain bandwidth product ft50 MHz
height11.04 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
length7.74 mm(Max)
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
монтаж транзистораThrough Hole
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-225-3
packagingBulk
партномер8017646532
pd - power dissipation1.5 W
полярность транзистораNPN
power dissipation12.5Вт
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJE182
стиль корпуса транзистораTO-225
transistor polarityNPN
Время загрузки0:50:54
width2.66 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль