MJE18004G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 450 В, 5 А, 75 Вт, TO-220, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE18004G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE18004G, Биполярный транзистор ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTThe MJE18004G is a 5A NPN bipolar Power Transistor offers an applications specific state-of-the-art die designed for use in 220V line-operated SWITCHMODE power supplies and electronic light ballasts. • Improved efficiency due to low base drive requirements• High and flat DC current gain h FE• Fast switching• No coil required in base circuit for turn-OFF (no current tail)• Motorola 6 SIGMA philosophy provides tight and reproducible parametric distributions
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft13МГц
collector emitter voltage max450В
continuous collector current
dc current gain hfe min32hFE
dc усиление тока hfe32hFE
длина10.53 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)14
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура175 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
maximum collector emitter voltage450 V
maximum dc collector current5 A
maximum emitter base voltage9 V
maximum operating frequency13 MHz
maximum operating temperature+150 °C
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain14
монтаж транзистораThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)9 V
напряжение коллектор-база (vcbo)1 kV
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.450 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.92 V
непрерывный коллекторный ток5 A
number of elements per chip1
package typeTO-220AB
партномер8000281957
pd - рассеивание мощности75 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation75Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)13 MHz
размер фабричной упаковки50
серияMJE18004
стиль корпуса транзистораTO-220
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:47:06
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль