MJE18004G, Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE18004G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 5A 1000V 75W NPN
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 6 |
| Высота | 15.75 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| частота перехода ft | 13МГц |
| collector emitter voltage max | 450В |
| continuous collector current | 5А |
| dc current gain hfe min | 32hFE |
| dc усиление тока hfe | 32hFE |
| длина | 10.53 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 14 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| maximum collector emitter voltage | 450 V |
| maximum dc collector current | 5 A |
| maximum emitter base voltage | 9 V |
| maximum operating frequency | 13 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 14 |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 9 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 1 kV |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 450 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.92 V |
| непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package type | TO-220AB |
| партномер | 8005371467 |
| pd - рассеивание мощности | 75 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 75Вт |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 13 MHz |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| серия | MJE18004 |
| стиль корпуса транзистора | TO-220 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:53:30 |
| Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
