MJE170G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE170G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, PNP, -40V, -3A, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:12hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft50МГц
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage1.7 V
collector emitter voltage max40В
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc collector/base gain hfe min50
dc current gain hfe min12hFE
dc усиление тока hfe12hFE
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity500
gain bandwidth product ft50 MHz
height11.04 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
length7.74 mm(Max)
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
монтаж транзистораThrough Hole
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-225-3
packagingBulk
партномер8008460965
pd - power dissipation1.5 W
полярность транзистораPNP
power dissipation12.5Вт
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJE171
стиль корпуса транзистораTO-225
transistor polarityPNP
Время загрузки0:53:34
width2.66 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль