MJE15033G, Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE15033G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE15033G, Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-250V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:30hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MJxxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-78B; Av Current Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-500mV; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:1A; Device Marking:MJE15033; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:30MHz; Gain Bandwidth ft Typ:30MHz; Hfe Min:50; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:50W; Voltage Vcbo:250V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo250 V
collector-emitter saturation voltage0.5 V
collector- emitter voltage vceo max250 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity50
gain bandwidth product ft30 MHz
height15.75 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.53 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage250 V
maximum collector emitter voltage-250 V
maximum dc collector current8 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency30 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation50 W
minimum dc current gain50
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-220-3
package typeTO-220AB
packagingTube
партномер8001171760
pd - power dissipation50 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJE15033
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
unit weight0.211644 oz
Время загрузки0:53:34
width4.83 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль