MJE15031G, Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE15031G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE15031G, Bipolar Transistors - BJT 8A 150V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, 150V, 8A, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-150V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-78B; Av Current Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-500mV; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:4A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:30MHz; Gain Bandwidth ft Typ:30MHz; Hfe Min:20; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:50W; Pulsed Current Icm:16A; Voltage Vcbo:150V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo150 V
collector-emitter saturation voltage0.5 V
collector- emitter voltage vceo max150 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
dc collector/base gain hfe min40
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity50
gain bandwidth product ft30 MHz
height15.75 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.53 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage150 V
maximum collector emitter voltage-150 V
maximum dc collector current8 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency30 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation50 W
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-220-3
package typeTO-220AB
packagingTube
партномер8005526246
pd - power dissipation50 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJE15031
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
unit weight0.211644 oz
Время загрузки0:53:38
width4.83 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль