MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD45H11T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
статический коэффициент передачи тока h21э мин40
98
+
Бонус: 1.96 !
Бонусная программа
Итого: 98
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Структураpnp
БрендON Semiconductor***
Основные
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80
Корпусdpak(to-252)
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц90
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
максимальная рассеиваемая мощность ,вт1.75
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)8
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в60
партномер9000135637
Время загрузки1:24:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль