MJD45H11T4G, Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD45H11T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD45H11T4G, Bipolar Transistors - BJT 8A 80V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector emitter voltage-80 V
maximum dc collector current-8 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency90 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.75 W
minimum dc current gain60
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeDPAK(TO-252)
партномер8005371458
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typePNP
Время загрузки0:47:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль