MJD45H11T4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics MJD45H11T4
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.66
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BJT, PNP, -80V, -8A, TO252-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.66
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current:8 A
dc collector/base gain hfe min:60
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке2500
manufacturer:STMicroelectronics
maximum dc collector current:8 A
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation - (mw)20000
militaryNo
minimum dc current gain60@2A@1VI40@4A@1V
mounting style:SMD/SMT
number of elements per chip1
package / case:TO-252-3
packagingTape and Reel
партномер8004527311
pd - power dissipation:20 W
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MJD45H11
standard package nameTO-252
subcategory:Transistors
supplier packageDPAK
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки14:04:46
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль