MJD45H11RLG, Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD45H11RLG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD45H11RLG, Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
84
+
Бонус: 1.68 !
Бонусная программа
Итого: 84
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.5 0.8A 8A
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1 0.4A 8A
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current (a)8
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1750
minimum dc current gain60 2A 1V|40 4A 1V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
packagingTape and Reel
партномер8003326787
part statusActive
pcb changed2
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
typePNP
Время загрузки1:29:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль