MJD45H11-1G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт, TO-251, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD45H11-1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD45H11-1G, Биполярный транзистор, PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, PNP, -80V, -8A, TO-251; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:90MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo5 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
dc collector/base gain hfe min60
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity75
gain bandwidth product ft90 MHz
height6.35 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length6.73 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current8 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseDPAK-3
packagingTube
партномер8535927456
pd - power dissipation20 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJD45H11
transistor polarityPNP
unit weight0.012346 oz
Время загрузки0:49:48
width2.38 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль