Name: MJD44H11T4G
Brand: STMicroelectronics

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics MJD44H11T4G

Подробное описание

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	01.08.2024
Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Бренд	STMicroelectronics

Все характеристики

300 ₽

– +

Бонус: 6 !

Бонусная программа

Итого: 300 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1V; Current Ic Continuous a Max:8A; Hfe Min:60; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Type:Power

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	01.08.2024
Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Бренд	STMicroelectronics
Основные
category	Discrete Semiconductor Products
частота перехода ft	-
collector-emitter saturation voltage:	1 V
collector- emitter voltage vceo max:	80 V
configuration:	Single
continuous collector current	8А
continuous collector current:	8 A
current - collector cutoff (max)	1µA
current - collector (ic) (max)	8A
dc collector/base gain hfe min:	60
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	60 @ 2A, 1V
dc усиление тока hfe	60hFE
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
family	Transistors(BJT)-Single
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	3вывод(-ов)
кол-во в упаковке	2500
квалификация	-
линейка продукции	-
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer:	STMicroelectronics
maximum dc collector current:	8 A
maximum operating temperature:	+150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
other names	MJD44H11T4OSTR
package / case	DPak, TO-252(2 leads+tab)
package / case:	TO-252-3
packaging	Tape & Reel(TR)
партномер	8001998147
pd - power dissipation:	20 W
полярность транзистора	NPN
power dissipation	20Вт
power - max	20W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series	-
series:	MJD44H11
standard package	02.05.2024
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
transistor type	NPN
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic	1V @ 400mA, 8A
voltage - collector emitter breakdown (max)	80V
Время загрузки	14:04:48

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

STMicroelectronics Транзисторы биполярные (BJTs)MJD44H11T4G