MJD44H11T4G, 80V 1.75W 40@4A,1V 8A NPN TO2522(DPAK) Bipolar Transistors BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD44H11T4G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 5 V |
| collector-emitter breakdown voltage | 80V |
| collector-emitter saturation voltage | 1 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 8 A |
| dc collector/base gain hfe min | 60 |
| диапазон рабочих температур, ос | -55…150 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity | 1800 |
| gain bandwidth product ft | 85 MHz |
| height | 2.38 mm |
| hfe при напряжении к-э, в | 1 |
| hfe при токе коллектора, а | 4 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Gull-wing |
| length | 6.73 mm |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.5 0.8A 8A |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1 0.4A 8A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current | 8A |
| maximum dc collector current (a) | 8 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 1750 |
| minimum dc current gain | 60 2A 1V|40 4A 1V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| package / case | TO-252-3 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8008993898 |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - power dissipation | 1.75W |
| pin count | 3 |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| rohs | Details |
| series | MJD44H11 |
| standard package name | TO-252 |
| статический коэффициент передачи тока hfe мин | 40 |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| Время загрузки | 2:06:12 |
| width | 6.22 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
