MJD44H11T4, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А, 20 Вт
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD44H11T4
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А, 20 Вт
| Дата загрузки | 18.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 01.08.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Бренд | STMicroelectronics |
| Основные | |
| category | Discrete Semiconductor Products |
| частота перехода ft | - |
| collector-emitter saturation voltage: | 1 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 80 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current | 8А |
| continuous collector current: | 8 A |
| current - collector cutoff (max) | 1µA |
| current - collector (ic) (max) | 8A |
| dc collector/base gain hfe min: | 60 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 2A, 1V |
| dc усиление тока hfe | 60hFE |
| emitter- base voltage vebo: | 5 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 2500 |
| family | Transistors(BJT)-Single |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| квалификация | - |
| линейка продукции | - |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| manufacturer: | STMicroelectronics |
| maximum dc collector current: | 8 A |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| other names | MJD44H11T4OSTR |
| package / case | DPak, TO-252(2 leads+tab) |
| package / case: | TO-252-3 |
| packaging | Tape & Reel(TR) |
| партномер | 8349809250 |
| pd - power dissipation: | 20 W |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 20Вт |
| power - max | 20W |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series | - |
| series: | MJD44H11 |
| standard package | 02.05.2024 |
| стиль корпуса транзистора | TO-252(DPAK) |
| subcategory: | Transistors |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 1V @ 400mA, 8A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 80V |
| Время загрузки | 14:01:57 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
