MJD44H11RLG, Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD44H11RLG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD44H11RLG, Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
81
+
Бонус: 1.62 !
Бонусная программа
Итого: 81
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeThe MJD44H11RLG is a 8A NPN bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Electrically similar to popular D44H/D45H series• Fast switching speeds• Complementary pairs simplifies designs• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft85МГц
collector emitter voltage max80В
continuous collector current
dc current gain hfe min40hFE
dc усиление тока hfe40hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
maximum collector emitter voltage80 V dc
maximum emitter base voltage5 V dc
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation20 W
minimum dc current gain60
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeDPAK
партномер8003326754
pin count2+Tab
полярность транзистораNPN
power dissipation20Вт
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:29:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль