MJD44H11-1G, Транзистор n-p-n 80В 8A 20Вт 85MHz DPAK-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD44H11-1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD44H11-1G, Транзистор n-p-n 80В 8A 20Вт ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.41
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 8A 80V 20W NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.41
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина:6.73 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):60
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:8 A
минимальная рабочая температура:- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1 V
непрерывный коллекторный ток:8 A
партномер8020920557
pd - рассеивание мощности:20 W
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):85 MHz
производитель:ON Semiconductor
размер фабричной упаковки:75
серия:MJD44H11
ширина:2.38 mm
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:ON Semiconductor
упаковка:Tube
упаковка / блок:IPAK-3
вид монтажа:Through Hole
Время загрузки0:49:48
высота:6.35 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль