MJD42CT4G, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD42CT4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD42CT4G, Транзистор
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
40
+
Бонус: 0.8 !
Бонусная программа
Итого: 40
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:1.5 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
continuous collector current:6 A
dc collector/base gain hfe min:30
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:6 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:TO-252-3
партномер9000101824
pd - power dissipation:20 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MJD42C
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки1:33:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль