MJD350T4G, 300V 15W 30@50mA,10V 500mA PNP TO2522(DPAK) Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD350T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD350T4G, 300V 15W 30@50mA,10V 500mA PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 15 Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum collector base voltage300 V
maximum collector base voltage (v)300
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1@10mA@100mA
maximum collector emitter voltage-300 V
maximum collector-emitter voltage (v)300
maximum dc collector current-500 mA
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage3 V
maximum emitter base voltage (v)3
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1.56 W
maximum power dissipation (mw)1560
minimum dc current gain30@50mA@10V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package typeDPAK(TO-252)
packagingTape and Reel
партномер8008992954
part statusActive
pcb changed2
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typePNP
Время загрузки1:29:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль