Name: MJD350-13, Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE PNP SMT
Brand: DIODES INC.
SKU: MJD350-13

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MJD350-13, Bipolar Transistors - BJT HIGH ...

Подробное описание

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	23.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.26
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	300 V
collector-emitter saturation voltage:	500 mV
collector- emitter voltage vceo max:	300 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	30
dc current gain hfe max:	30 at 50 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:	7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
gain bandwidth product ft:	10 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	500 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package/case:	DPAK-3
партномер	8004701772
pd - power dissipation:	15 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	MJD350
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	0:06:13

Отзывов нет

Кнопки

Теги: