MJD350-13, 300V 15W 500mA PNP TO-252-2 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD350-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MJD350-13, 300V 15W 500mA PNP TO-252-2 ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.36
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.36
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:300 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:30
dc current gain hfe max:30 at 50 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:10 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:DPAK-3
партномер8017625852
pd - power dissipation:15 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MJD350
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:25:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль