Name: MJD340G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD340G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.627
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

240 ₽

– +

Бонус: 4.8 !

Бонусная программа

Итого: 240 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, RF; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:240hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Ic Continuous a Max:500mA; Hfe Min:30; Operating Temperature Min:-65°C; Termination Type:Surface Mount Device

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.627
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	No
collector- base voltage vcbo	300 V
collector-emitter saturation voltage	1 V
collector- emitter voltage vceo max	300 V
configuration	Single
continuous collector current	0.5 A
dc collector/base gain hfe min	30
eccn (us)	EAR99
emitter- base voltage vebo	3 V
eu rohs	Compliant with Exemption
factory pack quantity	1800
height	1.5 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	Gull-wing
length	6.73 mm
manufacturer	ON Semiconductor
material	Si
maximum collector base voltage	300 V dc
maximum collector base voltage (v)	300
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	1 10mA 100mA
maximum collector emitter voltage	300 V
maximum collector-emitter voltage (v)	300
maximum dc collector current	0.5 A
maximum dc collector current (a)	0.5
maximum emitter base voltage	3 V
maximum emitter base voltage (v)	3
maximum operating frequency	10 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation	15 W
maximum power dissipation (mw)	1560
minimum dc current gain	30 50mA 10V
minimum operating temperature	-65 C
minimum operating temperature (°c)	-65
mounting	Surface Mount
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
operating junction temperature (°c)	-65 to 150
package / case	TO-252-3
package type	DPAK(TO-252)
packaging	Cut Tape
партномер	8002981919
part status	Active
pcb changed	2
pd - power dissipation	15 W
pin count	3
ppap	No
product category	Bipolar Transistors-BJT
rohs	Details
series	MJD340
standard package name	TO-252
supplier package	DPAK
tab	Tab
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
type	NPN
Время загрузки	0:45:49
width	6.22 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJD340G