Name: MJD32CT4G, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MJD32CT4G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD32CT4G, Биполярный транзистор, PNP, 100 В ...

Подробное описание

95 ₽

– +

Бонус: 1.9 !

Бонусная программа

Итого: 95 ₽

Купить

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.66
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
Корпус	DPAK/TO-252AA
collector- base voltage vcbo	100 V
collector-emitter saturation voltage	1.2 V
collector- emitter voltage vceo max	100 V
configuration	Single
continuous collector current	3 A
dc collector/base gain hfe min	25
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	2500
gain bandwidth product ft	3 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer	ON Semiconductor
maximum collector base voltage	100 V
maximum collector emitter voltage	-100 V
maximum dc collector current	3 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating frequency	3 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	1.56 W
minimum dc current gain	10
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package / case	TO-252-3
package type	DPAK(TO-252)
packaging	Cut Tape or Reel
партномер	8832934563
pd - power dissipation	1.56 W
pin count	3
product category	Bipolar Transistors-BJT
product type	BJTs-Bipolar Transistors
series	MJD32C
subcategory	Transistors
transistor configuration	Single
transistor polarity	PNP
transistor type	PNP
Время загрузки	1:33:38

Отзывов нет

Кнопки

Теги: