MJD32CG, Транзисторы и сборки биполярные

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD32CG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD32CG, Транзисторы и сборки биполярные
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
транзисторы биполярные импортныеTRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MJxxxx Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:TO-252; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-1.2V; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:1A; External Depth:10.28mm; External Length / Height:2.38mm; External Width:6.73mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:10; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:15W; SMD Marking:MJD32C; Voltage Vcbo:100V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage1.2 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc collector/base gain hfe min25
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity75
gain bandwidth product ft3 MHz
height2.38 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
length6.73 mm
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base current (a)1
maximum collector base voltage100 V
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.2@375mA@3A
maximum collector emitter voltage100 V
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current3 A
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency3 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1.56 W
maximum power dissipation (mw)1560
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
minimum dc current gain10
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package / caseTO-252-3
package typeDPAK(TO-252)
packagingTube
партномер8016286727
part statusActive
pcb changed2
pd - power dissipation1.56 W
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJD32C
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
typePNP
Время загрузки2:13:57
width6.22 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль