MJD31CT4G, Транзистор: NPN; 100В; 3А; 15Вт; DPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD31CT4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD31CT4G, Транзистор: NPN; 100В; 3А; 15Вт; DPAK
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base current (a)1
maximum collector base voltage100 V
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.2@375mA@3A
maximum collector emitter voltage100 V
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1.56 W
maximum power dissipation (mw)1560
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
minimum dc current gain25@1A@4V|10@3A@4V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package typeDPAK(TO-252)
packagingTape and Reel
партномер8017546403
part statusActive
pcb changed2
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
Время загрузки0:53:07
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль