MJD31CRLG, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD31CRLG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD31CRLG, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
62
+
Бонус: 1.24 !
Бонусная программа
Итого: 62
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base current (a)1
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.2 375mA 3A
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1560
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
minimum dc current gain25 1A 4V|10 3A 4V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
packagingTape and Reel
партномер8016031656
part statusActive
pcb changed2
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
typeNPN
Время загрузки1:29:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль