MJD31CG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD31CG
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Application Code:PGP; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2V; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:1A; External Depth:10.28mm; External Length / Height:2.38mm; External Width:6.73mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:10; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Power Dissipation Ptot Max:15W; SMD Marking:MJD31C; Voltage Vcbo:100V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage1.2 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc collector/base gain hfe min25
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity75
gain bandwidth product ft3 MHz
height2.38 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
length6.73 mm
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base current (a)1
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.2@375mA@3A
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current3 A
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1560
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
minimum dc current gain25@1A@4V|10@3A@4V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package / caseTO-252-3
packagingTube
партномер8002973327
part statusActive
pcb changed2
pd - power dissipation1.56 W
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJD31C
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
transistor polarityNPN
typeNPN
unit weight0.01411 oz
Время загрузки2:02:01
width6.22 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль