MJD31C1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD31C1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.7
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-65°C
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.7
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage1.2 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc collector/base gain hfe min25
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity75
gain bandwidth product ft3 MHz
height2.38 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length6.73 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
package / caseIPAK-3
packagingTube
партномер8002989385
pd - power dissipation1.56 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJD31C
transistor polarityNPN
unit weight0.139332 oz
Время загрузки0:45:49
width6.22 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль