MJD31C-13, Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD31C-13
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 100V 3A 3MHz 1,56W Surface Mount DPAK
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.35 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| base product number | MJD31 -> |
| collector- base voltage vcbo: | 100 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 1.2 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 100 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 3 A |
| current - collector cutoff (max) | 1ВµA |
| current - collector (ic) (max) | 3A |
| dc collector/base gain hfe min: | 25 |
| dc current gain hfe max: | 40 at 3 A, 4 V |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 10 @ 3A, 4V |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 6 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 2500 |
| frequency - transition | 3MHz |
| gain bandwidth product ft: | 3 MHz |
| htsus | 8541.29.0095 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer: | Diodes Incorporated |
| maximum dc collector current: | 3 A |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| package / case: | DPAK-3 |
| партномер | 8005059982 |
| pd - power dissipation: | 2.1 W |
| power - max | 1.56W |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series: | MJD31C |
| subcategory: | Transistors |
| supplier device package | DPAK |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 100V |
| Время загрузки | 22:25:15 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
