MJD3055T4G, 20uA 60V 1.75W 20@4A,4V 10A 2MHz 8V@10A,3.3A NPN -55°C~+150°C@(Tj) TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD3055T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD3055T4G, 20uA 60V 1.75W 20@4A,4V 10A 2MHz ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.44
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.44
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo70 V
collector-emitter saturation voltage1.1 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current10 A
dc collector/base gain hfe min20
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity2500
gain bandwidth product ft2 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage70 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current10 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency500 kHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation20 W
minimum dc current gain20
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseTO-252-3
package typeDPAK(TO-252)
packagingCut Tape or Reel
партномер8017601901
pd - power dissipation20 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesMJD3055
subcategoryTransistors
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:53:10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль