MJD3055T4, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD3055T4
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics MJD3055T4, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo:70 V
collector-emitter saturation voltage:1.1 V
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current:10 A
dc collector/base gain hfe min:20
dc current gain hfe max:100
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:2 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
manufacturer:STMicroelectronics
maximum collector base voltage (v)70
maximum collector cut-off current (na)20000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.1@0.4A@4A|8@3.3A@10A
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current:10 A
maximum dc collector current (a)10
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)20000
maximum transition frequency (mhz)2(Min)
minimum dc current gain20@4A@4V|5@10A@4V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
number of elements per chip1
package / case:TO-252-3
packagingTape and Reel
партномер8004826867
part statusActive
pcb changed2
pd - power dissipation:20 W
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MJD3055
standard package nameTO-252
subcategory:Transistors
supplier packageDPAK
supplier temperature gradeIndustrial
tabTab
technology:Si
transistor polarity:NPN
typeNPN
Время загрузки13:58:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль