Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.6 |
Высота | 2.38 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
collector- base voltage vcbo | 70 V |
collector-emitter saturation voltage | 1.1 V |
collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 10 A |
dc collector/base gain hfe min | 20 |
длина | 6.73 mm |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
eu rohs | Compliant with Exemption |
factory pack quantity | 75 |
gain bandwidth product ft | 2 MHz |
height | 2.38 mm |
hts | 8541.29.00.95 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
конфигурация | Single |
квалификация | AEC-Q101 |
lead shape | Gull-wing |
length | 6.73 mm |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
manufacturer | ON Semiconductor |
material | Si |
maximum collector base voltage (v) | 70 |
maximum collector cut-off current (na) | 20000 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 8@3.3A@10A|1.1@0.4A@4A |
maximum collector-emitter voltage (v) | 60 |
maximum dc collector current | 10 A |
maximum dc collector current (a) | 10 |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 1750 |
maximum transition frequency (mhz) | 2(Min) |
military | No |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 20@4A@4V|5@10A@4V |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 70 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
непрерывный коллекторный ток | 10 A |
number of elements per chip | 1 |
package / case | TO-252-3 |
package height | 2.38(Max) |
package length | 6.73(Max) |
package width | 6.22(Max) |
packaging | Tube |
партномер | 8003035478 |
part status | Active |
pcb changed | 2 |
pd - power dissipation | 20 W |
pd - рассеивание мощности | 20 W |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 2 MHz |
размер фабричной упаковки | 75 |
rohs | Details |
series | MJD2955 |
серия | MJD2955 |
standard package name | TO-252 |
supplier package | DPAK |
supplier temperature grade | Automotive |
tab | Tab |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor polarity | PNP |
type | PNP |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-252-3 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 2:02:02 |
Ширина | 6.22 мм |
width | 6.22 mm |