MJD2955G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А, 20 Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD2955G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD2955G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.6
Высота2.38 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
35
+
Бонус: 0.7 !
Бонусная программа
Итого: 35
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А, 20 Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.6
Высота2.38 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусDPAK/TO-252AA
automotiveNo
collector- base voltage vcbo70 V
collector-emitter saturation voltage1.1 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current10 A
dc collector/base gain hfe min20
длина6.73 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity75
gain bandwidth product ft2 MHz
height2.38 mm
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
length6.73 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора10 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum collector base voltage (v)70
maximum collector cut-off current (na)20000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)8@3.3A@10A|1.1@0.4A@4A
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current10 A
maximum dc collector current (a)10
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1750
maximum transition frequency (mhz)2(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain20@4A@4V|5@10A@4V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)70 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.1 V
непрерывный коллекторный ток10 A
number of elements per chip1
package / caseTO-252-3
package height2.38(Max)
package length6.73(Max)
package width6.22(Max)
packagingTube
партномер8718747098
part statusActive
pcb changed2
pd - power dissipation20 W
pd - рассеивание мощности20 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)2 MHz
размер фабричной упаковки75
rohsDetails
seriesMJD2955
серияMJD2955
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityPNP
typePNP
упаковкаTube
упаковка / блокTO-252-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:24:07
Ширина6.22 мм
width6.22 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль