MJD253T4G, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD253T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD253T4G, Биполярный транзистор, PNP, 100 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.66
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.66
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусDPAK/TO-252AA
automotiveNo
частота перехода ft40МГц
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector emitter voltage max100В
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current4 A
dc collector/base gain hfe min40
dc current gain hfe min15hFE
dc усиление тока hfe15hFE
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo7 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity2500
gain bandwidth product ft40 MHz
height2.38 mm
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
lead shapeGull-wing
length6.73 mm
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base current (a)1
maximum base emitter saturation voltage (v)1.8@200mA@2A
maximum collector base voltage100 V dc
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A
maximum collector emitter voltage-100 V
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current4 A
maximum dc collector current (a)4
maximum emitter base voltage7 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency10 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation12.5 W
maximum power dissipation (mw)1400
militaryNo
minimum dc current gain15@1A@1V|40@200mA@1V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package / caseTO-252-3(DPAK)
package height2.38(Max)
package length6.73(Max)
package typeDPAK(TO-252)
package width6.22(Max)
packagingTape and Reel
партномер8000812624
part statusActive
pcb changed2
pd - power dissipation12.5 W
pin count3
полярность транзистораPNP
power dissipation12.5Вт
product categoryBipolar Power
rohsDetails
seriesMJD253
standard package nameTO-252
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
supplier packageDPAK
tabTab
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
typePNP
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:33:41
width6.22 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль