MJD253T4G, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD253T4G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.66 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
Корпус | DPAK/TO-252AA |
automotive | No |
частота перехода ft | 40МГц |
collector- base voltage vcbo | 100 V |
collector-emitter saturation voltage | 0.6 V |
collector emitter voltage max | 100В |
collector- emitter voltage vceo max | 100 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 4 A |
dc collector/base gain hfe min | 40 |
dc current gain hfe min | 15hFE |
dc усиление тока hfe | 15hFE |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 7 V |
eu rohs | Compliant with Exemption |
factory pack quantity | 2500 |
gain bandwidth product ft | 40 MHz |
height | 2.38 mm |
hts | 8541.29.00.95 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
lead shape | Gull-wing |
length | 6.73 mm |
максимальная рабочая температура | 150°C |
manufacturer | ON Semiconductor |
material | Si |
maximum base current (a) | 1 |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.8@200mA@2A |
maximum collector base voltage | 100 V dc |
maximum collector base voltage (v) | 100 |
maximum collector cut-off current (na) | 100 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A |
maximum collector emitter voltage | -100 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 100 |
maximum dc collector current | 4 A |
maximum dc collector current (a) | 4 |
maximum emitter base voltage | 7 V |
maximum emitter base voltage (v) | 7 |
maximum operating frequency | 10 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 12.5 W |
maximum power dissipation (mw) | 1400 |
military | No |
minimum dc current gain | 15@1A@1V|40@200mA@1V |
minimum operating temperature | -65 C |
minimum operating temperature (°c) | -65 |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -65 to 150 |
package / case | TO-252-3(DPAK) |
package height | 2.38(Max) |
package length | 6.73(Max) |
package type | DPAK(TO-252) |
package width | 6.22(Max) |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8000812624 |
part status | Active |
pcb changed | 2 |
pd - power dissipation | 12.5 W |
pin count | 3 |
полярность транзистора | PNP |
power dissipation | 12.5Вт |
product category | Bipolar Power |
rohs | Details |
series | MJD253 |
standard package name | TO-252 |
стиль корпуса транзистора | TO-252(DPAK) |
supplier package | DPAK |
tab | Tab |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | PNP |
transistor type | PNP |
type | PNP |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
Время загрузки | 1:33:41 |
width | 6.22 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26