MJD200T4G, Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD200T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD200T4G, Bipolar Transistors - BJT 5A 25V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)2.5@1A@5A
maximum collector base voltage (v)40
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.8@1A@5A|0.75@200mA@2A|0.3@50mA@500mA
maximum collector-emitter voltage (v)25
maximum dc collector current (a)10
maximum emitter base voltage (v)8
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1400
maximum transition frequency (mhz)65(Min)
militaryNo
minimum dc current gain10@5A@2V|45@2A@1V|70@500mA@1V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
package height2.38(Max)
package length6.73(Max)
package width6.22(Max)
packagingTape and Reel
партномер8007285315
part statusActive
pcb changed2
pin count3
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
typeNPN
Время загрузки2:06:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль