MJD200G, Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD200G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400 мВт 3-контактный (2 выступа) трубка DPAK
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы-BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | +150 C |
| максимальное рассеяние мощности | 12.5 W |
| максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 2.5 1A 5A |
| maximum collector base voltage (v) | 40 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1.8 1A 5A|0.3 50mA 500mA|0.75 200mA 2A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 25 |
| maximum dc collector current (a) | 5 |
| maximum emitter base voltage (v) | 8 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 1400 |
| maximum transition frequency (mhz) | 65(Min) |
| минимальная рабочая температура | -65 C |
| minimum dc current gain | 70 500mA 1V|45 2A 1V|10 5A 2V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 8 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 40 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 25 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tube |
| партномер | 8005526239 |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pin count | 3 |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 65 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1800 |
| rohs | Подробности |
| серия | MJD200 |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| упаковка | Reel |
| упаковка / блок | TO-252-3(DPAK) |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:06:39 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
