MJD127T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD127T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD127T4G, Биполярный транзистор, PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусDPAK/TO-252AA
collector current8A
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerONSEMI
maximum base emitter saturation voltage4.5 V
maximum collector base voltage100 V
maximum collector cut-off current0.01mA
maximum collector emitter saturation voltage4 V
maximum collector emitter voltage100 V
maximum continuous collector current8 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-65 °C
mountingSMD
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeDPAK(TO-252)
партномер8000654414
pin count3
power dissipation20W
transistor configurationSingle
transistor typePNP
Время загрузки2:02:48
width6.22mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль