MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD112T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD112T4G, Биполярный транзистор, NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
95
+
Бонус: 1.9 !
Бонусная программа
Итого: 95
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусDPAK-3
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
партномер8017555421
Время загрузки1:33:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль