Name: MJD112G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD112G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные

Все характеристики

210 ₽

– +

Бонус: 4.2 !

Бонусная программа

Итого: 210 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:12000hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Complementary Device:MJD117G; Continuous Collector Current Ic Max:2A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:2A; Gain Bandwidth ft Typ:25MHz; Hfe Min:200; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Peak Current Icm:4A; Power Dissipation Ptot Max:20W; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vcbo:100V

Дата загрузки	21.02.2024
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	100 V
collector- emitter voltage vceo max	100 V
configuration	Single
continuous collector current	2 A
dc collector/base gain hfe min	1000
dc current gain hfe max	12000
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	75
height	2.38 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
length	6.73 mm
manufacturer	ON Semiconductor
maximum base emitter saturation voltage	4 V
maximum collector base voltage	100 V
maximum collector cut-off current	20 uA
maximum collector emitter saturation voltage	3 V
maximum collector emitter voltage	100 V
maximum continuous collector current	2 A
maximum dc collector current	2 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	20 W
minimum dc current gain	1000
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package / case	TO-252-3(DPAK)
package type	DPAK(TO-252)
packaging	Tube
партномер	8008821864
pd - power dissipation	20 W
pin count	3
product category	Darlington Transistors
rohs	Details
series	MJD112
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
Время загрузки	0:53:24
width	6.22 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJD112G