Name: MJD112G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MJD112G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD112G, Биполярный транзистор, NPN ...

Подробное описание

86 ₽

– +

Бонус: 1.72 !

Бонусная программа

Итого: 86 ₽

Купить

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.6
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
Корпус	DPAK/TO-252AA
collector- base voltage vcbo	100 V
collector- emitter voltage vceo max	100 V
configuration	Single
continuous collector current	2 A
dc collector/base gain hfe min	1000
dc current gain hfe max	12000
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	75
height	2.38 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
length	6.73 mm
manufacturer	ON Semiconductor
maximum base emitter saturation voltage	4 V
maximum collector base voltage	100 V
maximum collector cut-off current	20 uA
maximum collector emitter saturation voltage	3 V
maximum collector emitter voltage	100 V
maximum continuous collector current	2 A
maximum dc collector current	2 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	20 W
minimum dc current gain	1000
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package / case	TO-252-3(DPAK)
package type	DPAK(TO-252)
packaging	Tube
партномер	8994472026
pd - power dissipation	20 W
pin count	3
product category	Darlington Transistors
rohs	Details
series	MJD112
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
Время загрузки	1:33:42
width	6.22 mm

Отзывов нет

Кнопки

Теги: