Name: MJD112-1G, Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MJD112-1G

MJD112-1G, Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD112-1G, Trans Darlington NPN 100V 2A ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\Darlington BJTTrans Darlington NPN 100 В, 2 А, 1750 мВт, 3-контактный (3 выступа), трубка IPAK

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
configuration	Single
eccn (us)	EAR99
eu rohs	Compliant with Exemption
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	Through Hole
maximum base current (a)	0.05
maximum base emitter saturation voltage	4 V
maximum collector base voltage	100 V
maximum collector base voltage (v)	100
maximum collector cut-off current	20µA
maximum collector cut-off current (ua)	20
maximum collector emitter saturation voltage	3 V
maximum collector emitter voltage	100 V
maximum collector-emitter voltage (v)	100
maximum continuous collector current	2 A
maximum continuous dc collector current (a)	2
maximum emitter base voltage	5 V
maximum emitter base voltage (v)	5
maximum operating temperature	+150 °C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation	20 W
maximum power dissipation (mw)	1750
minimum dc current gain	1000
minimum operating temperature	-65 °C
minimum operating temperature (°c)	-65
mounting	Through Hole
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
operating junction temperature (°c)	-65 to 150
package type	IPAK(TO-251)
packaging	Tube
партномер	8001032963
part status	Active
pcb changed	3
pin count	3
standard package name	TO-251
supplier package	IPAK
tab	Tab
transistor configuration	Single
transistor type	NPN
type	NPN
typical current gain bandwidth (mhz)	25(Min)
Время загрузки	2:06:40
width	2.38mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJD112-1G