MJB44H11T4G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJB44H11T4G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 4.83 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| длина | 10.29 mm (Max) |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.5 0.8A 8A |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1 0.4A 8A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current (a) | 10 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 50(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 60 2A 1V|40 4A 1V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 5 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8001008228 |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 50 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 50 MHz |
| размер фабричной упаковки | 800 |
| серия | MJB44H11 |
| standard package name | TO-263 |
| supplier package | D2PAK |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| упаковка / блок | TO-263-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:06:44 |
| Ширина | 9.65 м |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
