MJB44H11T4-A, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJB44H11T4-A
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics MJB44H11T4-A, Биполярный транзистор, NPN ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.03.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, NPN, 80V, 10A, TO-263; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (07-Jul-2017)
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.03.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base part numberMJB44
current - collector cutoff (max)10ВµA
current - collector (ic) (max)10A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce40 @ 4A, 1V
frequency - transition-
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerSTMicroelectronics
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseTO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
packagingCut Tape(CT)
партномер8692499978
part statusActive
power - max50W
series-
supplier device packageD2PAK
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 400mA, 8A
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки13:57:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль