MJB44H11G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJB44H11G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJB44H11G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-263-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo5 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current10 A
dc collector/base gain hfe min60
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity800
gain bandwidth product ft50 MHz
height4.83 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.29 mm(Max)
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current10 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseTO-263-3
packagingReel
партномер8001219302
pd - power dissipation50 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJB44H11
transistor polarityNPN
Время загрузки0:52:01
width9.65 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль