MJB44H11G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJB44H11G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJB44H11G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусD2Pak(TO-263)
collector- base voltage vcbo5 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current10 A
dc collector/base gain hfe min60
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity800
gain bandwidth product ft50 MHz
height4.83 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.29 mm(Max)
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current10 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseTO-263-3
packagingReel
партномер8001755337
pd - power dissipation50 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJB44H11
transistor polarityNPN
Время загрузки0:58:53
width9.65 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль