MJB41CG, Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJB41CG
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 6A 100V 65W NPN
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 2.306 |
| Высота | 4.83 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 100 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1.5 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 100 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 6 A |
| dc collector/base gain hfe min | 30 |
| длина | 10.29 mm (Max) |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity | 800 |
| gain bandwidth product ft | 3 MHz |
| height | 4.83 mm(Max) |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| length | 10.29 mm(Max) |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum collector base voltage (v) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1.5 600mA 6A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 100 |
| maximum dc collector current | 6 A |
| maximum dc collector current (a) | 6 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 3(Min) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum operating temperature | -65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-263-3 |
| packaging | Tube |
| партномер | 8005371421 |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - power dissipation | 65 W |
| pd - рассеивание мощности | 65 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| rohs | Details |
| series | MJB41C |
| серия | MJB41C |
| standard package name | TO-263 |
| supplier package | D2PAK |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-263-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:52:06 |
| Ширина | 9.65 м |
| width | 9.65 mm(Max) |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
