MJ15016G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJ15016G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г18.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
2 960
+
Бонус: 59.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 960
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:18MHz; Power Dissipation Pd:180W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70hFE; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:200°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:TO-204AA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-1.1V; Continuous Collector Current Ic Max:15A; Current Ic Continuous a Max:15A; Current Ic hFE:4A; Device Marking:MJ15016G; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:2.2MHz; Gain Bandwidth ft Typ:18MHz; Hfe Min:20; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +200°C; Power Dissipation Ptot Max:180W; Voltage Vcbo:200V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г18.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo200 V
collector-emitter saturation voltage1.1 V
collector- emitter voltage vceo max120 V
configurationSingle
continuous collector current15 A
dimensions39.37 x 26.67 x 8.51mm
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity100
gain bandwidth product ft18 MHz
height8.51 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length39.37 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage200 V
maximum collector emitter saturation voltage5 V
maximum collector emitter voltage120 V
maximum dc collector current15 A
maximum emitter base voltage7 V
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation180 W
minimum dc current gain5
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-204-2
package typeTO-204AA
packagingTray
партномер8016146763
pd - power dissipation180 W
pin count2
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJ15016
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
Время загрузки0:46:01
width26.67 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль