MJ11033G, Биполярный транзистор, PNP, -120 В, 300 Вт, -50 А, 400 hFE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJ11033G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJ11033G, Биполярный транзистор, PNP, -120 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г14.05.2024
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
3 440
+
Бонус: 68.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы Дарлингтона 50A 120V Bipolar Power PNP
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г14.05.2024
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo120 V
collector- emitter voltage vceo max120 V
configurationSingle
continuous collector current50 A
dc collector/base gain hfe min400, 1000
длина38.86 mm
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity100
height8.51 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)400, 1000
конфигурацияSingle
length38.86 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора50 A
manufacturerON Semiconductor
maximum base emitter saturation voltage4.5 V
maximum collector base voltage120 V
maximum collector emitter saturation voltage3.5 V
maximum collector emitter voltage120 V
maximum continuous collector current50 A
maximum dc collector current50 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation300 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain400
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.120 V
непрерывный коллекторный ток50 A
number of elements per chip1
package / caseTO-204-2(TO-3)
package typeTO-204
packagingTray
партномер8367167258
pd - power dissipation300 W
pd - рассеивание мощности300 W
pin count2
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryDarlington Transistors
размер фабричной упаковки100
rohsDetails
seriesMJ11033
серияMJ11033
тип продуктаDarlington Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковкаTray
упаковка / блокTO-204-2 (TO-3)
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:56:38
Ширина26.67 мм
width26.67 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль