MJ11032G, Darlington Transistors 50A 120V Bipolar Power NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJ11032G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Транзисторы ДарлингтонаТранзисторы Дарлингтона 50A 120V Bipolar Power NPN
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 13.84 |
| Высота | 8.51 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| число контактов | 2 |
| collector- base voltage vcbo | 120 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 120 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 50 A |
| dc collector/base gain hfe min | 1000 |
| dc current gain hfe max | 18000 |
| длина | 38.86 mm |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 100 |
| height | 8.51 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 18000 |
| количество элементов на ис | 1 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |
| конфигурация | Single |
| length | 38.86 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 120 V |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 4,5 В |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |
| максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
| максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
| максимальный постоянный ток коллектора | 50 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum base emitter saturation voltage | 4.5 V |
| maximum collector base voltage | 120 V |
| maximum collector emitter saturation voltage | 3.5 V |
| maximum collector emitter voltage | 120 V |
| maximum continuous collector current | 50 A |
| maximum dc collector current | 50 A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 300 W |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 400 |
| minimum dc current gain | 400 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 120 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 120 V |
| непрерывный коллекторный ток | 50 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-204-2(TO-3) |
| package type | TO-204 |
| packaging | Tray |
| партномер | 8006230210 |
| pd - power dissipation | 300 W |
| pd - рассеивание мощности | 300 W |
| pin count | 2 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Darlington Transistors |
| размеры | 38.86 x 26.67 x 8.51мм |
| размер фабричной упаковки | 100 |
| rohs | Details |
| series | MJ11032 |
| серия | MJ11032 |
| тип корпуса | TO-204 |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | Darlington Transistors |
| тип транзистора | NPN |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| упаковка | Tray |
| упаковка / блок | TO-204-2 (TO-3) |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:56:38 |
| Ширина | 26.67 мм |
| width | 26.67 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
