MJ11028G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJ11028G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
5 530
+
Бонус: 110.6 !
Бонусная программа
Итого: 5 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы Дарлингтона 50A 60V Bipolar Power NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector emitter voltage max60В
continuous collector current50А
dc current gain hfe min400hFE
dc усиление тока hfe400hFE
длина38.86 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
количество выводов2вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)400, 1000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора50 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
непрерывный коллекторный ток50 A
партномер8008459249
pd - рассеивание мощности300 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation300Вт
размер фабричной упаковки100
серияMJ11028
стиль корпуса транзистораTO-204
тип продуктаDarlington Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTray
упаковка / блокTO-204-2 (TO-3)
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:56:41
Ширина26.67 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль