MCH6001-TL-E, 8V 600mW 150mA 2 NPN MCPH-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MCH6001-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MCH6001-TL-E, 8V 600mW 150mA 2 NPN MCPH-6 ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
RF TRANS, NPN, 8V, 0.15A, 150DEG C, 0.6W ROHS COMPLIANT: YES
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft16ГГц
collector- base voltage vcbo15 V
collector emitter voltage max
collector- emitter voltage vceo max8 V
configurationDual
continuous collector current150мА
dc collector/base gain hfe min60
dc current gain hfe max150
dc current gain hfe min60hFE
dc ток коллектора150мА
dc усиление тока hfe60hFE
emitter- base voltage vebo2 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft16 GHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов6вывод(-ов)
корпус рч транзистораSOT-363
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current150 mA
maximum operating temperature+150 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер
package / caseSOT-363-6
packagingCut Tape
партномер8017627483
pd - power dissipation600 mW
полярность транзистораNPN
power dissipation600мВт
product categoryBipolar Transistors-BJT
рассеиваемая мощность600мВт
rohsDetails
seriesMCH6001
стиль корпуса транзистораSOT-363
transistor polarityNPN
unit weight0.000265 oz
Время загрузки0:56:48
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль